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J-GLOBAL ID：200902138615413015   Reference number：00A0710547

Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy.

固相エピタクシーでのSi(111)上におけるGeの核形成と成長

Author (8)： SUZUMURA I (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OKADA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MUTO A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TORIGE Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKAI A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 369  Issue： 1/2  Page： 116-120  Publication year： Jul. 03, 2000 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 固相エピタクシー ,  Si ,  Ge ,  核形成 ,  成長