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J-GLOBAL ID：200902139910026879   Reference number：98A0833229

Electrical Evaluation of Sidewall Damage Caused by CH₄/H₂ Reactive Ion Etching.

CH₄/H₂反応性イオンエッチングによって起こる側壁損傷の電気的評価

Author (4)： YUDA M (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  KONDO S (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  NOGUCHI Y (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN) ,  KISHI K (NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 37  Issue： 8  Page： 4624-4626  Publication year： Aug. 1998 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RIE ,...
Semi thesaurus term： methane

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JST classification (3)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (16)：

• 1) S. W. Pang, G. A. Lincoln, R. W. McClelland, P. D. DeGraff, M. W. Geis and W. J. Piacentini: J. Vac. Sci. Technol. B 1 (1983) 1334
• 2) S. W. Pang: J. Electrochem. Soc. 133 (1986) 784.
• 3) P. Collot and C. Gaonach: Semicond. Sci. Technol. 5 (1990) 237
• 4) C. Constantine, D. Johnson, S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, A. B. Emerson, W. S. Hobson and A. P. Kinsella: J. Vac. Sci. Technol. B 8 (1990) 596
• 5) N. Yamamoto, K. Kishi, S. Matsumoto, Y. kadota, R. Iga, H. Okamoto and H. Mawatari: J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 103

Terms in the title (5)： H2 ,  反応性イオンエッチング ,  側壁 ,  損傷 ,  評価