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J-GLOBAL ID：200902141429842543   Reference number：98A0807080

Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO₂ Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.

有機金属気相エピタクシーによるSiO₂マスクを使ったSi基板上へのGaNの選択領域成長

Author (6)： KAWAGUCHI Y (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  HONDA Y (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  MATSUSHIMA H (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  YAMAGUCHI M (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  HIRAMATSU K (Mie Univ., Mie, JPN) ,  SAWAKI N (Nagoya Univ., Aichi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 37  Issue： 8B  Page： L966-L969  Publication year： Aug. 15, 1998 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (9)：

• 1) M. C. Benjamin, C. Wang, R. F. Davis and R. J. Nemanich: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 3288
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Terms in the title (6)： 有機金属気相エピタクシー ,  SiO2 ,  マスク ,  Si基板 ,  GaN ,  領域成長