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J-GLOBAL ID：200902145093666941   Reference number：00A0795792

Scanning Tunneling Microscopy Observation of the Formation of the Smallest Dimer-Adatom-Stacking-fault Domain on a Quenched Si(111) Surface.

急冷したSi(111)表面上の最小の二量体-吸着原子-積層欠陥ドメインの走査型トンネル顕微鏡観察

Author (4)： SHIMADA W (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOCHIHARA H (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SATO T (JEOL Ltd., Tokyo, JPN) ,  IWATSUKI M (JEOL Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 7B  Page： 4408-4411  Publication year： Jul. 30, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *surface structure ,...
Semi thesaurus term： domain growth

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JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (17)：

• 1) K. Takayanagi, Y. Tanishiro, M. Takahashi and S. Takahashi: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>4</B> (1985) 1079.
• 2) K. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi and M. Takahashi: Surf. Sci. 164 (1985) 367.
• 3) Y.-N. Yang and E. D. Williams: Phys. Rev. Lett. 72 (1994) 1862.
• 4) T. Hoshino, K. Kumamoto, K. Kokubun, T. Ishimaru and I. Ohdomari: Phys. Rev. B 51 (1995) 14594.
• 5) T. Hoshino, K. Kokubun, K. Kumamoto, T. Ishimaru and I. Ohdomari: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 3346.

Terms in the title (7)： 急冷 ,  Si ,  二量体 ,  吸着原子 ,  積層欠陥 ,  ドメイン ,  走査型トンネル顕微鏡観察