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J-GLOBAL ID：200902145162178571   Reference number：01A0690540

Two-step-heating sequence in arsenic-free high-temperature surface cleaning method for GaAs-AlGaAs MBE.

GaAs-AlGaAsの無ひ素の高温表面浄化における二段階の加熱シーケンス

Author (4)： IIZUKA K (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  SAKAMAKI Y (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  SUZUKI T (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  OKAMOTO H (Chiba Univ., Chiba, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 227/228  Page： 41-45  Publication year： Jul. 2001 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...

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JST classification (4)： Techniques for samples  (BA02070O) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： GaAs ,  AlGaAs ,  ひ素 ,  表面浄化 ,  段階 ,  シーケンス