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J-GLOBAL ID：200902147971760942   Reference number：95A0628043

Nitrogen Ion Implantation into 6H-SiC and Application to High-Temperature, Radiation-Hard Diodes.

6H-SiCへの窒素イオン注入と高温耐放射線性ダイオードへの応用

Author (4)： YAGUCHI S (Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Kobe, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OHYAMA N (Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Hyogo, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 34  Issue： 6A  Page： 3036-3042  Publication year： Jun. 1995 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： 高温素子 ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Diodes  (NC03050R)

Reference (32)：

• TAIROV, Yu. M. J. Cryst. Growth. 1981, 52, 146
• KURODA, N. Ext. Abstr. 19th Conf. Solid State Devices and Materials. 1987, 227
• KONG, H. S. J. Appl. Phys. 1988, 64, 2672
• NEUDECK, P. G. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1386
• BHATNAGAR, M. IEEE Electron Device Lett. 1992, 13, 501

Terms in the title (6)： 6H-SiC ,  窒素イオン ,  注入 ,  耐放射線性 ,  ダイオード ,  応用