Art

J-GLOBAL ID：200902149113270875   Reference number：00A0682182

AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察

Author (6)： TANAKA SEITAI (名古屋大 工) ,  KAWAGUCHI YASUTOSHI (名古屋大 工) ,  YAMADA KAZUHIRO (名古屋大 工) ,  SAWAKI NORIHIKO (名古屋大 工) ,  HIBINO MICHIO (名古屋大 理工科学総研セ) ,  HIRAMATSU KAZUMASA (三重大 工)
Material： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
Volume： 27  Issue： 1  Page： 30  Publication year： Jul. 26, 2000 
JST Material Number： F0452B  ISSN： 0385-6275  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0682182&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0452B") }}

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (1)：

• KAWAGUCHI, Y. Jpn.J.Appl.Phys. 1998, 37, L966

Terms in the title (7)： AlGaN ,  中間層 ,  作製 ,  Si ,  選択成長 ,  GaN ,  TEM観察