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J-GLOBAL ID：200902149770337297   Reference number：01A1076180

A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces.

GaAs表面でのGaの吸着-脱離挙動に関する新規な理論的アプローチ

Author (5)： KANGAWA Y (Gakushuin Univ., Tokyo, JPN) ,  ITO T (Mie Univ., Mie, JPN) ,  TAGUCHI A (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIRAISHI K (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  OHACHI T (Doshisha Univ., Kyoto, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 493  Issue： 1/3  Page： 178-181  Publication year： Nov. 01, 2001 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： ビーム等価圧

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JST classification (2)： Solid-solid interface  (CB12060M) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (6)： GaAs ,  Ga ,  吸着 ,  脱離 ,  挙動 ,  理論