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J-GLOBAL ID：200902150753597178   Reference number：01A0767574

Growth of Si_0.75Ge_0.25 alloy layers grown on Si(001) substrates using step-graded short-period(Si_m/Ge_n)_N superlattices.

ステップ傾斜短周期(Si_mGe_n)_N超格子を使ってSi(001)基板上に成長させたSi_0.75Ge_0.25合金層の成長

Author (4)： RAHMAN M M (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  MATADA H (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TAMBO T (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TATSUYAMA C (Toyama Univ., Toyama, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 90  Issue： 1  Page： 202-208  Publication year： Jul. 01, 2001 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,...
Semi thesaurus term： strain relaxation

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 短周期 ,  超格子 ,  Si ,  成長 ,  合金層