Art

J-GLOBAL ID：200902151688331927   Reference number：01A0282646

Photovoltaic properties of ion-beam synthesized β-FeSi₂/n-Si heterojunctions.

イオンビーム合成したβ-FeSi₂/n-Siヘテロ接合の光起電力特性

Author (5)： MAEDA Y (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  UMEZAWA K (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  HAYASHI Y (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  MIYAKE K (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  OHASHI K (Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 381  Issue： 2  Page： 256-261  Publication year： Jan. 15, 2001 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： iron compound ,...
Semi thesaurus term： イオンビーム合成

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0282646&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Terms in the title (4)： イオンビーム ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  光起電力