Art

J-GLOBAL ID：200902153510557169   Reference number：01A0777305

Study of (100)InP Surface Using Molecular Orbital Calculation Method.

第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析

Author (6)： YAMAMURA YOICHI (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  KASAI YUKI (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  MIYAMURA SATOSHI (金沢大 工) ,  INOKUMA TAKAO (金沢大 工) ,  IIYAMA KOICHI (金沢大 工) ,  TAKAMIYA SABURO (金沢大 工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 101  Issue： 104(ED2001 44-51)  Page： 39-46  Publication year： Jun. 06, 2001 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium phosphide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0777305&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

JST classification (2)： Solic-state devices in general  (NC03010Z) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (10)：

• TSUZUKU, T. Jpn. Appl. Phys. 2000, 39, 5788-5793
• ICHIKAWA, S. Physical Review B. 2000, 61, 19
• KUNIHIRO, K. IEDM98. 1998, 71-74
• 高谷信一郎. 電信技報. ED96-124
• 足立裕彦監修. 初めての電子状態計算. 1997

Terms in the title (4)： 第一原理計算 ,  InP ,  電子状態 ,  解析