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J-GLOBAL ID：200902154082459218   Reference number：97A0305954

Present status and future prospects of single-electron devices and circuits.

単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望

Author (5)： TABE MICHIHARU (静岡大 電子工研) ,  ODA SHUNRI (東京工大 量子効果エレクトロニクス研セ) ,  HIRAMOTO TOSHIRO (東大 生産技研) ,  NAKAZATO KAZUO (Hitachi Cambridge Lab., Cambrigde, GBR) ,  AMEMIYA YOSHIHITO (北大 工)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 66  Issue： 2  Page： 99-108  Publication year： Feb. 1997 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *transistor ,...
Semi thesaurus term： 単電子デバイス ,...

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JST classification (2)： Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H) ,  Solic-state devices in general  (NC03010Z)

Reference (67)：

• LIKHAREV, K. K. IBM J.Res.Dev. 1988, 32, 144
• AVERIN, D. V. Quantum Effects in Small Disordered Systems. 1991
• GRABERT, H. Single Charge Tunneling. NATO ASI Series. 1992
• 上田正仁. 応用物理. 1993, 62, 889
• FULTON, T. A. Phys.Rev.Lett. 1987, 59, 109

Terms in the title (4)： 単電子デバイス ,  研究 ,  状況 ,  展望