Art

J-GLOBAL ID：200902155742079711   Reference number：99A0991386

A Very Simple Method of Flattening Si(111) Surface at an Atomic Level Using Oxygen-Free Water.

無酸素水を用いて原子レベルでSi(111)表面を平坦にする非常に簡単な方法

Author (2)： FUKIDOME H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUMURA M (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 10A  Page： L1085-L1086  Publication year： Oct. 01, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *deoxidization ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0991386&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

JST classification (2)： Techniques for samples  (BA02070O) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (12)：

• 1) G. S. Higashi and Y. J. Chabal: Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology, ed. W. Kern (Noyes Publications, New Jersey, 1993) p. 433.
• 2) G. S. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks and K. Raghavachari: Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 656.
• 3) P. Jakob and Y. J. Chabal: J. Chem. Phys. 95 (1991) 2897.
• 4) S. Watanabe, N. Nakayama and T. Ito: Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 1458.
• 5) S. Watanabe, K. Horiuchi and T. Ito: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 3420.

Terms in the title (2)： 原子 ,  Si