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J-GLOBAL ID：200902161411847689   Reference number：99A0991398

Control of Nucleation Site and Growth Orientation of Bulk GaN Crystals.

バルクGaN結晶の核形成サイトと成長方位の制御

Author (6)： YANO M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKAMOTO M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAP Y K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YOSHIMURA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SASAKI T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 10A  Page： L1121-L1123  Publication year： Oct. 01, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (14)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagasawa, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332.
• 2) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
• 3) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 4) S. D. Hersee, J. C. Ramer and K. J. Malloy: Mater. Res. Soc. Bull. 22 (1997) 51 and references 3-9 therein.
• 5) J. A. Van Vechten: Phys. Rev. B7 (1973) 1479.

Terms in the title (5)： バルク ,  GaN ,  結晶 ,  核形成 ,  成長方位