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J-GLOBAL ID：200902162359008793   Reference number：00A1007608

Epitaxial Growth of BaTiO₃ Thin Films by High Gas Pressure Sputtering.

高ガス圧スパッタリングによるBaTiO₃薄膜のエピタキシャル成長

Author (4)： YASUMOTO T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YANASE N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ABE K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KAWAKUBO T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 9B  Page： 5369-5373  Publication year： Sep. 30, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ferroelectrics ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (18)：

• 1) N. Yanase, K. Abe, N. Fukushima and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5305.
• 2) K. Abe and S. Komatsu: J. Appl. Phys. 77 (1995) 6461.
• 3) K. Abe, S. Komatsu, N. Yanase, K. Sano and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5575.
• 4) K. Abe, S. Komatsu, N. Yanase, K. Sano and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5846.
• 5) N. Yanase, K. Abe, K. Sano and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L151.

Terms in the title (5)： ガス圧 ,  スパッタリング ,  BaTiO3 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長