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J-GLOBAL ID：200902163650149570   Reference number：98A0389314

Epitaxial Growth of Ti_1-xAl_xN Buffer Layer for a Ferroelectric (Ba, Sr)TiO₃ Capacitor on Si Substrate.

Si基板上の強誘電体(Ba,Sr)TiO₃キャパシタ用のTi_1-xAl_xNバッファ層のエピタキシャル成長

Author (4)： YANASE N (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  SANO K (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  ABE K (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAWAKUBO T (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 37  Issue： 2A  Page： L151-L153  Publication year： Feb. 01, 1998 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dielectric thin film ,...

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JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Reference (14)：

• 1) T. Kawakubo, K. Abe, S. Komatsu, K. Sano, N. Yanase and H. Mochizuki: Ext. Abstr. IEEE IEDM'96, (Dec. 1996) 695.
• 2) J. Narayan, P. Tiwari, X. Chen, J. Singh, R. Chowdhury and T. Zheleva: Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 1290
• 3) W. J. Meng and G. L. Eesley: Thin Solid Films 271 (1995) 108.
• 4) K. Sano, M. Oose and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 3266
• 5) M. Witter, J. Noser and H. Melchior: J. Appl. Phys. 52 (1981) 6659

Terms in the title (7)： Si基板 ,  強誘電体 ,  Ba ,  Sr ,  キャパシタ ,  バッファ層 ,  エピタキシャル成長