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J-GLOBAL ID：200902163441695134   Reference number：99A0894668

Radiation Effect on Metal-Contaminated Si Diodes.

金属汚染Siダイオードへの放射線効果

Author (8)： HAKATA T (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  OHYAMA H (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  KOBAYASHI K (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  SIMOEN E (IMEC(Interuniv. Micro Electronics Center), Leuven, BEL) ,  CLAEYS C (IMEC(Interuniv. Micro Electronics Center), Leuven, BEL) ,  TAKAMI Y (Rikkyo Univ., Kanagawa, JPN) ,  SUNAGA H (Takasaki JAERI(Japan Atomic Energy Res. Inst.), Gunma, JPN) ,  MIYAHARA K (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
Material： Journal of the Korean Physical Society
Volume： 35  Issue： Supplementary (July 31)  Page： S84-S87  Publication year： Jul. 31, 1999 
JST Material Number： T0357A  ISSN： 0374-4884  Document type： Article
Country of issue： Korea, Republic of (KOR)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： 金属汚染 ,  Si ,  ダイオード ,  放射線効果