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J-GLOBAL ID：200902163457304755   Reference number：98A0016820

Excimer-Laser-Produced Single-Crystal Silicon Thin-Film Transistors.

エキシマレーザを利用した単結晶シリコン薄膜トランジスタの製作

Author (2)： ISHIHARA R (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUMURA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 36  Issue： 10  Page： 6167-6170  Publication year： Oct. 1997 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...
Semi thesaurus term： レーザ結晶化

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (15)：

• 1) T. Sameshima, S. Usui and M. Sekiya: IEEE Electron Device Lett. 7 (1986) 276.
• 2) S. M. Sze: <i> Physics of Semiconductor Devices</i> (John Wiley & Sons, New York, 1981) 2nd ed., p. 448.
• 3) S. K. Madan and D. A. Antoniadis: IEEE Trans. Electron Devices 33 (1986) 1518.
• 4) T. Tanaka, K. Nakazawa, S. Suyama and K. Katoh: IEEE Trans. Electron Devices 39 (1992) 916.
• 5) S. Seki, O. Kogure and B. Tsujiyama: IEEE Electron Device Lett. 8 (1987) 434.

Terms in the title (4)： エキシマレーザ ,  単結晶シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  製作