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J-GLOBAL ID：200902169038360058   Reference number：95A0689588

Microscopic Characterization of Schottky Barrier Height by Scanning Internal-Photoemission Microscopy.

電子デバイス用材料の微小領域分析・計測 極限への挑戦 顕微光応答法によるショットキー障壁高さの局所領域評価

Author (1)： OKUMURA TSUGUNORI (東京都大 工)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 34  Issue： 7  Page： 883-888  Publication year： Jul. 1995 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： Schottky barrier ,...
Semi thesaurus term： forbidden band ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Photoemission and photoelectrons  (BM09030D)

Reference (28)：

• BRILLSON, L. J. Contacts to Semiconductors. 1993
• 河東田隆. 半導体評価技術. 1989, 166
• 河東田隆. 半導体評価技術. 1989, 303
• 秋本晃一. 応用物理. 1989, 58, 66
• KAISER, W. J. Phys. Rev. Lett. 1988, 60, 1406

Terms in the title (8)： 電子デバイス ,  微小領域 ,  分析 ,  計測 ,  極限 ,  光応答 ,  ショットキー障壁高さ ,  評価