Art

J-GLOBAL ID：200902169646026195   Reference number：99A0283045

Self-limiting effects of flow rate modulation epitaxy of GaAs on patterned substrate.

パターン化基板上のGaAsの流速変調エピタキシーの自己制限効果

Author (3)： WANG X-L (Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN) ,  OGURA M (Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN) ,  MATSUHATA H (Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 195  Issue： 1/4  Page： 586-590  Publication year： Dec. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： パターン化 ,  GaAs ,  流速 ,  変調 ,  エピタキシー ,  自己 ,  制限