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J-GLOBAL ID：200902170336295240   Reference number：95A0707573

Arsenic-free GaAs substrate preparation and direct growth of GaAs/AlGaAs multiple quantum well without buffer layer.

ひ素を使わないGaAs基板調製とバッファ層を用いないGaAs/AlGaAs多重量子井戸の直接成長

Author (6)： IIZUKA K (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  MATSUMARU K (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  SUZUKI T (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  HIROSE H (Nippon Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  SUZUKI K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  OKAMOTO H (Chiba Univ., Chiba, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 150  Issue： 1/4 Pt 1  Page： 13-17  Publication year： 1995 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： ひ素 ,  GaAs基板 ,  調製 ,  バッファ層 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  多重量子井戸 ,  成長