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J-GLOBAL ID：200902170493372623   Reference number：97A0138343

Effects of fluorine addition on the structure and optical properties of SiO₂ films formed by plasma-enhanced chemical vapor deposition.

フッ素添加がPECVD-SiO₂薄膜の構造および光学特性に及ぼす影響

Author (3)： ISHII KEISUKE (早稲田大 理工) ,  TAKAMI AKIHIRO (早稲田大 理工) ,  OKI YOSHIMICHI (早稲田大 理工)
Material： 電気学会誘電・絶縁材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
Volume： DEI-96  Issue： 132-145  Page： 109-117  Publication year： Dec. 10, 1996 
JST Material Number： Z0908B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon dioxide ,...
Semi thesaurus term： tetraethoxysilane ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (27)：

• 水野. 月刊 Semiconductor World. 1994, 2
• ANAND, M. B. 1994 Proceedings of the 11th International VLSI Multilevel Interconnection Conference. 1994, 15
• HOMMA, T. J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 3599
• HOMMA, T. J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 687
• NOGUCHI, K. Appl. Phys. Lett. 1984, 44, 491

Terms in the title (5)： フッ素添加 ,  PECVD ,  SiO2 ,  薄膜 ,  光学特性