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J-GLOBAL ID：200902172628517867   Reference number：01A0849956

Initial oxidation process by ozone on Si(100) investigated by scanning tunneling microscopy.

Si(100)上のオゾンによる初期酸化過程の走査型トンネル顕微鏡観察による研究

Author (4)： ITOH H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KUROKAWA A (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ICHIMURA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 482/485  Issue： Pt.1  Page： 114-120  Publication year： Jun. 20, 2001 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...
Semi thesaurus term： interfacial structure

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JST classification (1)： Study of adsorption by physical means  (CB12043P)

Terms in the title (7)： Si ,  オゾン ,  初期 ,  酸化 ,  過程 ,  走査型トンネル顕微鏡観察 ,  研究