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J-GLOBAL ID：200902173250404836   Reference number：01A0588833

Electrical properties of low-temperature epitaxial doped Si thin films fabricated by using a sputtering-type electron cyclotron resonance plasma.

スパッタリング型電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いて作製した低温エピタキシャルドープしたSi薄膜の電気的特性

Author (4)： WANG J (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKASHIMA H (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  GAO J (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MURAOKA K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Journal of Physics. D. Applied Physics  (J Phys D)
Volume： 34  Issue： 7  Page： 1025-1031  Publication year： Apr. 07, 2001 
JST Material Number： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： スパッタリング ,  電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  作製 ,  低温 ,  エピタキシャル ,  ドープ ,  Si薄膜 ,  電気的特性