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J-GLOBAL ID：200902173316601611   Reference number：99A0535092

Study on low temperature facetting growth of polycrystalline silicon thin films by ECR downstream plasma CVD with different hydrogen dilution.

種々の水素希釈下のECRダウンストリームプラズマCVDによる多結晶シリコン薄膜の低温ファセット化成長

Author (5)： HSIAO H L (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HWANG H L (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  YANG A B (Tunghai Univ., Taichung, TWN) ,  CHEN L W (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  YEW T R (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 142  Issue： 1/4  Page： 316-321  Publication year： Apr. 1999 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： polycrystal ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (9)： 水素 ,  希釈 ,  ストリーム ,  プラズマCVD ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  低温 ,  ファセット ,  成長