Art

J-GLOBAL ID：200902175219132472   Reference number：00A0491876

Fabrication of Gated Niobium Nitride Field Emitter Array.

ゲート電極付き窒化ニオブフィールドエミッタの作製

Author (5)： GOTO YASUHITO (京大 大学院) ,  KASHIWAGI YU (京大 大学院) ,  NAGAO MASAYOSHI (京大 大学院) ,  TSUJI HIROSHI (京大 大学院) ,  ISHIKAWA JUNZO (京大 大学院)
Material： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
Volume： 43  Issue： 3  Page： 251-254  Publication year： Mar. 20, 2000 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *field emission array ,...
Semi thesaurus term： gate electrode

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JST classification (2)： Thermoionic emission and field emission  (BM09020S) ,  Other solid-state devices  (NC03150A)

Reference (9)：

• TOTH, L. E. Transition Metal Carbides and Nitrides. 1971, 102
• ENDO, M. J.Vac.Sci.& Technol. 1996, B14, 2114
• 後藤康仁. 真空. 1997, 40, 279
• 後藤康仁. 真空. 1999, 42, 305
• GOTOH, Y. Nucl.Instrum.Meth. 1999, B148, 925

Terms in the title (4)： ゲート電極 ,  窒化ニオブ ,  フィールドエミッタ ,  作製