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J-GLOBAL ID：200902176201448916   Reference number：00A0437160

Photoluminescence properties of ZnO epilayers grown on CaF₂(111) by plasma assisted molecular beam epitaxy.

プラズマ増強分子ビームエピタクシーによってCaF₂(111)上に成長させたZnOエピ層の光ルミネセンスの性質

Author (6)： KO H J (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  CHEN Y F (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  ZHU Z (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  YAO T (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  KOBAYASHI I (Nagaoka Univ. Technol., Nagaoka, JPN) ,  UCHIKI H (Nagaoka Univ. Technol., Nagaoka, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 76  Issue： 14  Page： 1905-1907  Publication year： Apr. 03, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (9)： プラズマ ,  増強 ,  分子ビームエピタクシー ,  CaF2 ,  成長 ,  ZnO ,  エピ層 ,  光ルミネセンス ,  性質