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J-GLOBAL ID：200902177739097311   Reference number：98A0441380

MBE Growth of Device-Quality Cubic GaN on Atomically Flat (001) GaAs Prepared by Atomic-Hydrogen Treatment at High-Temperatures.

高温で原子状水素処理により調製した原子レベルで平坦な(001)GaAs上の素子級立方晶GaNのMBE成長

Author (8)： YOSHIKAWA A (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  QIN Z (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  NAGANO H (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  SUGURE Y (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  JIA A (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KOBAYASHI M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KATO Y (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  TAKAHASHI K (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
Material： Materials Science Forum  (Mater Sci Forum)
Volume： 264/268  Issue： Pt.2  Page： 1221-1224  Publication year： 1998 
JST Material Number： D0716B  ISSN： 0255-5476  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 原子状水素 ,  調製 ,  原子 ,  GaAs ,  立方晶 ,  GaN ,  MBE成長