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J-GLOBAL ID：200902182782202866   Reference number：01A0138880

Low threshold current density operation of GaInNAs quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapour deposition.

有機金属化学気相成長法により成長させたGaInNAs量子井戸レーザの低しきい値電流密度動作

Author (7)： KAWAGUCHI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  GOUARDES E (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SCHLENKER D (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 36  Issue： 21  Page： 1776-1777  Publication year： Oct. 12, 2000 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOCVD ,...
Semi thesaurus term： VCSEL ,...

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JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 有機金属化学気相成長法 ,  成長 ,  GaInNAs ,  量子井戸レーザ ,  しきい値電流密度