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J-GLOBAL ID：200902182866126111   Reference number：96A0711869

High-quality GaN and AIN grown by gas-source molecular beam epitaxy using ammonia as the nitrogen source.

窒素源としてアンモニアを用いたガスソース分子線エピタクシーで成長させた高質のGaNとAlN

Author (3)： YANG Z (Columbia Univ., New York) ,  LI L K (Columbia Univ., New York) ,  WANG W I (Columbia Univ., New York)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 14  Issue： 3  Page： 2354-2356  Publication year： May. 1996 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 窒素源 ,  アンモニア ,  ガスソース分子線エピタクシー ,  成長 ,  高質 ,  GaN ,  AlN