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J-GLOBAL ID：200902186560494457   Reference number：00A0083262

Exposure mechanism of fullerene derivative electron beam resists.

フラーレン誘導体電子ビームレジストの照射機構

Author (7)： ROBINSON A P G (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  PALMER R E (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  TADA T (National Inst. Advanced Interdisciplinary Res., Ibaraki, JPN) ,  KANAYAMA T (National Inst. Advanced Interdisciplinary Res., Ibaraki, JPN) ,  SHELLEY E J (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  PHILP D (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  PREECE J A (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR)
Material： Chemical Physics Letters  (Chem Phys Lett)
Volume： 312  Issue： 5/6  Page： 469-474  Publication year： Oct. 29, 1999 
JST Material Number： B0824A  ISSN： 0009-2614  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *fullerene C60 ,...

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JST classification (2)： Atomic and molecular clusters  (BH09030O) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (2)： フラーレン誘導体 ,  電子ビームレジスト