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J-GLOBAL ID：200902188885607579   Reference number：01A0156933

Fabrication technology of a Si nanowire memory transistor using an inorganic electron beam resist process.

無機電子線レジストプロセスを用いたSiナノ細線メモリトランジスタの作製技術

Author (9)： TSUTSUMI T (Meiji Univ., Kanagawa, JPN) ,  ISHII K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  HIROSHIMA H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  HAZRA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  YAMANAKA M (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SAKATA I (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TAGUCHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI E (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TOMIZAWA K (Meiji Univ., Kanagawa, JPN)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 18  Issue： 6  Page： 2640-2645  Publication year： Nov. 2000 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electron beam resist ,...
Semi thesaurus term： inorganic resist

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 電子線レジスト ,  プロセス ,  Si ,  ナノ細線 ,  トランジスタ ,  作製技術