Art

J-GLOBAL ID：200902189003827000   Reference number：02A0038034

Reduction of threading dislocation density in SiGe layers on Si(001) using a two-step strain-relaxation procedure.

二段階歪緩和処理を用いたSi(001)面上SiGe層の貫通転位密度の低減

Author (7)： SAKAI A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SUGIMOTO K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAMOTO T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OKADA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 79  Issue： 21  Page： 3398-3340  Publication year： Nov. 19, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicide ,...
Semi thesaurus term： strain relaxation

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： 段階 ,  歪緩和 ,  Si ,  SiGe ,  貫通転位密度