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J-GLOBAL ID：200902189850383151   Reference number：97A0831011

n-type high-conductive epitaxial diamond film prepared by gas source molecular beam epitaxy with methane and tri-n-butylphosphine.

メタンとトリ-n-ブチルホスフィンを利用してガス源分子線エピタクシー成長したn型高伝導性ダイヤモンド膜

Author (5)： NISHIMORI T (Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Yokohama, JPN) ,  NAKANO K (Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Yokohama, JPN) ,  SAKAMOTO H (Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Yokohama, JPN) ,  TAKAKUWA Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KONO S (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 71  Issue： 7  Page： 945-947  Publication year： Aug. 18, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...
Semi thesaurus term： GSMBE

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： メタン ,  トリ ,  N-ブチル ,  ホスフィン ,  ガス源分子線エピタクシー ,  成長 ,  ダイヤモンド膜