Art

J-GLOBAL ID：200902190946426429   Reference number：99A0095575

Aluminum-induced crystallization of amorphous silicon on glass substrates above and below the eutectic temperature.

共晶温度の上下におけるガラス基板上の非晶質けい素におけるアルミニウム誘起の結晶化

Author (5)： NAST O (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  PUZZER T (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  KOSCHIER L M (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  SPROUL A B (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  WENHAM S R (Univ. New South Wales, NSW, AUS)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 73  Issue： 22  Page： 3214-3216  Publication year： Nov. 30, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： cathodic sputtering ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 共晶温度 ,  ガラス基板 ,  非晶質けい素 ,  アルミニウム ,  誘起 ,  結晶化