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J-GLOBAL ID：200902191749242690   Reference number：01A0760375

Hydrogen and nitrogen ambient effects on epitaxial growth of GaN by hydride vapour phase epitaxy.

水素化物気相エピタクシーによるGaNのエピタキシャル成長に及ぼす水素及び窒素残留効果

Author (5)： AUJOL E (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  TRASSOUDAINE A (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  SIOZADE L (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  PIMPINELLI A (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  CADORET R (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 230  Issue： 3/4  Page： 372-376  Publication year： Sep. 2001 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： vapor phase growth ,...
Semi thesaurus term： carrier

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 水素化物気相エピタクシー ,  GaN ,  エピタキシャル成長 ,  水素 ,  窒素 ,  残留効果