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J-GLOBAL ID：200902192439600770   Reference number：96A0807916

Growth of High-Quality AlN and AlN/GaN/AlN Heterostructure on Sapphire Substrate.

サファイア基板上の良質なAlNとAlN/GaN/AlNヘテロ構造の成長

Author (2)： OHBA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HATANO A (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 35  Issue： 8B  Page： L1013-L1015  Publication year： Aug. 15, 1996 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (10)：

• AKASAKI, I. J. Crsyt. Growth. 1989, 98, 209
• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1708
• NAKAMURA, S. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1687
• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L74
• SAXLER, A. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 339

Terms in the title (5)： サファイア基板 ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  成長