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J-GLOBAL ID：200902192604926040   Reference number：01A0904106

Effect of N/Ge co-implantation on the Ge activation in GaN.

GaN中でのGe活性化に対するN/Geの同時打込みの効果

Author (2)： NAKANO Y (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aich, JPN) ,  KACHI T (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aich, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 79  Issue： 10  Page： 1468-1470  Publication year： Sep. 03, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (4)： GaN ,  Ge ,  活性化 ,  打込み