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J-GLOBAL ID：200902192647623598   Reference number：99A0610152

Very strong photoluminescence emission from GaN grown on amporphous silica substrate by gas source MBE.

ガスソースMBEによって非晶質シリカ基板上に成長したGaNからの非常に強い光ルミネセンス放出

Author (8)： ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IWATA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAMPO H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KUROIWA R (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HIROKI M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAMI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAMURA S (Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN) ,  GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 201/202  Page： 371-375  Publication year： May. 1999 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： ガスソースMBE ,  非晶質 ,  シリカ基板 ,  成長 ,  GaN ,  光ルミネセンス ,  放出