Art

J-GLOBAL ID：200902195492287447   Reference number：99A0506919

GaN on Si Substrate with AlGaN/AlN Intermediate Layer.

AlGaN/AlN中間層を有するSi基板上のGaN薄膜

Author (6)： ISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ZHAO G-Y (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  NAKADA N (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  UMENO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 5A  Page： L492-L494  Publication year： May. 01, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： melt-back

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (15)：

• AKIYAMA, M. Jpn.J.Appl.Phys. 1984, 23, 843
• SOGA, T. Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 1987, 91, 69
• NOTO, N. Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 1989, 148, 248
• EGAWA, T. Appl.Phys.Lett. 1990, 57, 1179
• WATANABE, A. J.Cryst.Growth. 1993, 128, 391

Terms in the title (6)： AlGaN ,  AlN ,  中間層 ,  Si基板 ,  GaN ,  薄膜