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J-GLOBAL ID：200902198456197325   Reference number：02A0219597

MBE grown short-period (Si_m/Ge_n)_N superlattices (SSLs) and its effect on the growth of uniform Si_0.75Ge_0.25/(SSLs)/Si(001) systems.

MBE成長した短周期(Si_m/Ge_n)_N超格子(SSL)とそれが均一Si_0.75Ge_0.25/(SSL)/Si(001)系の成長に及ぼす影響

Author (5)： RAHMAN M M (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  KURUMATANI K (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  MATADA H (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TAMBO T (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TATSUYAMA C (Toyama Univ., Toyama, JPN)
Material： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Mater Sci Eng B)
Volume： B89  Issue： 1/3  Page： 252-256  Publication year： Feb. 14, 2002 
JST Material Number： T0553A  ISSN： 0921-5107  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor thin film ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： MBE成長 ,  短周期 ,  超格子 ,  SSL ,  Si ,  系 ,  成長