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J-GLOBAL ID：200902200140279200   Reference number：05A0599421

Reduced Leakage Current in BiFeO₃ Thin Films on Si Substrates Formed by a Chemical Solution Method

化学的溶液法により形成したSi基板上のBiFeO₃薄膜における漏洩電流の低減

Author (2)： SINGH Sushil K. (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  ISHIWARA Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 44  Issue： 20-23  Page： L734-L736  Publication year： Jun. 10, 2005 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *leakage current ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Reference (10)：

• 1) Y. Arimoto and H. Ishiwara: MRS Bull. 29 (2004) 823.
• 2) K. Y. Yun, D. Ricinschi, T. Kanashima, M. Noda and M. Okuyama: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L647.
• 3) G. A. Smolenskii and I. Chupis: Sov. Phys. Usp. 25 (1982) 475.
• 4) F. Kubel and H. Schmid: Acta Crystallogr., Sect. B 46 (1990) 698.
• 5) Y. P. Wang, L. Zhou, M. F. Zhang, X. Y. Chen, J. M. Liu and Z. G. Liu: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1731.

Terms in the title (6)： 化学 ,  溶液 ,  Si基板 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  漏洩電流