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J-GLOBAL ID：200902200485447327   Reference number：05A0060809

Effects of n-type 4H-SiC epitaxial wafer quality on reliability of thermal oxides

熱酸化物の信頼性におよぼすn型4H-SiCエピタキシャルウエハの品質の効果

Author (3)： SENZAKI J (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA K (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA K (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 85  Issue： 25  Page： 6182-6184  Publication year： Dec. 20, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (4)： 熱酸化 ,  4H-SiC ,  エピタキシャル ,  ウエハ