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J-GLOBAL ID：200902201269718070   Reference number：03A0656781

Design and Proof of High Quality HfAlO_X Film Formation for MOSCAPs and nMOSFETs through Layer-by-Layer Deposition and Annealing Process

多層蒸着とアニーリングプロセスを通したMOSCAPおよびnMOSFET用高品質HfAlO_x 薄膜形成設計と実証

Author (9)： NABATAME T (AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN) ,  IWAMOTO K (AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN) ,  OTA H (AIST Tsukuba, JPN) ,  TOMINAGA K (AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO K (AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN) ,  MIZUBAYASHI W (AIST Tsukuba, JPN) ,  MORITA Y (AIST Tsukuba, JPN) ,  HORIKAWA T (AIST Tsukuba West, Ibaraki, JPN) ,  TORIUMI A (AIST Tsukuba, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 2003  Page： 25-26  Publication year： 2003 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOS structure ,...
Semi thesaurus term： MOS capacitor ,...

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JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Insulating materials  (NA04030W) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (9)： 多層 ,  蒸着 ,  アニーリング ,  プロセス ,  nMOSFET ,  高品質 ,  薄膜形成 ,  設計 ,  実証