Art

J-GLOBAL ID：200902201745475261   Reference number：04A0890537

Formation of the 1.014 eV Photoluminescence Cu Center in Cu-implanted Silicon Crystals and the Center’s Model

Cu注入シリコン結晶における1.014eV光ルミネセンスCu中心の形成及び中心のモデル

Author (3)： NAKAMURA M ,  OHNO H (Tokyo National Coll. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MURAKAMI S (Hitachi Ltd., Hitachi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 11B  Page： L1466-L1468  Publication year： Nov. 15, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Copper ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0890537&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (23)：

• 1) M. Datta: IBM J. Res. Develop. 42 (1998) 563.
• 2) Y. H. Lin, Y. H. Wu, A. Chin and F. M. Pan: J. Electrochem. Soc. 147 (2000) 4305.
• 3) A. A. Istratov and E. R. Weber: J. Electrochem. Soc. 149 (2002) G21.
• 4) N. S. Minaev, A. V. Mudryi and V. D. Tkachev: Sov. Phys. Semicond. 13 (1979) 233.
• 5) J. Weber, H. Bauch and R. Sauer: Phys. Rev. B 25 (1982) 7688.

Terms in the title (5)： Cu ,  注入 ,  シリコン結晶 ,  光ルミネセンス ,  モデル