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J-GLOBAL ID：200902203304724765   Reference number：04A0032961

Far-Infrared Resonant Faraday Effect in Semiconductors

半導体における遠赤外共鳴Faraday効果

Author (5)： SUZUKI M (Osaka Univ., Osaka) ,  FUJII K (Osaka Univ., Osaka) ,  OHYAMA T (Osaka Univ., Osaka) ,  KOBORI H (Konan Univ., Kobe) ,  KOTERA N (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka)
Material： Journal of the Physical Society of Japan  (JPSJ)
Volume： 72  Issue： 12  Page： 3276-3285  Publication year： Dec. 15, 2003 
JST Material Number： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Faraday effect ,...

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JST classification (2)： Electrooptical effects,magnetooptical effects  (BM08020L) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Reference (22)：

• 1) T. H. Lee and H. Y. Fan: Phys. Rev. 165 (1968) 927.
• 2) V. V. Mussil, V. V. Karmazin and V. K. Miloslavskii: Sov. Phys. Solid State 14 (1973) 3004.
• 3) L. P. Zverev, O. E. Rut and R. V. Emilin: Sov. Phys. Semicond. 14 (1980) 223.
• 4) N. P. Belov, A. N. Pikhtin and A. D. Yas’kov: Sov. Phys. Semicond. 19 (1985) 991.
• 5) H. J. Jiménez-González, R. L. Aggarwal and G. Favrot: Phys. Rev. B 49 (1994) 4571.

Terms in the title (3)： 遠赤外 ,  共鳴 ,  Faraday効果