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J-GLOBAL ID：200902204904484560   Reference number：08A0231880

Current-driven magnetization reversal at extremely low threshold current density in (Ga,Mn)As-based double-barrier magnetic tunnel junctions

(Ga,Mn)Asベース二重障壁磁気トンネル接合における非常に低いしきい電流密度の電流駆動磁化反転

Author (5)： WATANABE Maya (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  OKABAYASHI Jun (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  TOYAO Hiroshi (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  YAMAGUCHI Takeshi (Quantum Nanoelectronics Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  YOSHINO Junji (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 92  Issue： 8  Page： 082506  Publication year： Feb. 25, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium compound ,  manganese compound ,  *arsenide ,  *tunnel junction ,  magnetoresistance effect ,  barrier ,  threshold ,  current density ,  *magnetization reversal ,  magnetization ,  thickness ,  spin polarization ,  torque ,  compound semiconductor

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Magnetic properties of inorganic compounds  (BM06060P)

Terms in the title (8)： Ga ,  Mn ,  障壁 ,  磁気トンネル接合 ,  しきい電流 ,  密度 ,  電流駆動 ,  磁化反転