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J-GLOBAL ID：200902210024611791   Reference number：03A0437207

Wafer-scale spontaneous bonding of silicon wafers by argon-beam surface activation at room temperature

室温におけるアルゴンビーム表面活性化によるシリコンウエハのウエハスケール自発ボンディング

Author (3)： TAKAGI H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA R (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SUGA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sens Actuators A)
Volume： A105  Issue： 1  Page： 98-102  Publication year： Jun. 15, 2003 
JST Material Number： B0345C  ISSN： 0924-4247  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Argon ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 室温 ,  アルゴンビーム ,  表面活性化 ,  シリコンウエハ ,  ウエハ ,  スケール ,  ボンディング