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J-GLOBAL ID：200902211884161277   Reference number：09A0720538

Photoreactive Chemisorbed Monolayer Suppressing Polymer Dewetting in Thermal Nanoimprint Lithography

熱ナノインプリントリソグラフィーにおいて高分子の脱濡れを抑制する光反応性化学吸着単分子層

Author (5)： ODA Hirokazu (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  ODA Hirokazu (Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa, JPN) ,  OHTAKE Tomoyuki (NOF Corp., Ibaraki, JPN) ,  TAKAOKA Toshiaki (NOF Corp., Ibaraki, JPN) ,  NAKAGAWA Masaru (Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
Material： Langmuir  (ACS Journal of Fundamental Interfaces Science)
Volume： 25  Issue： 12  Page： 6604-6606  Publication year： Jun. 16, 2009 
JST Material Number： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *lithography ,  *polystyrene ,  *photochemical reaction ,  *chemisorption ,  *monomolecular layer ,  ultraviolet irradiation ,  gold ,  *etching ,  pattern formation ,  *wet etching ,  grafting(chemical modification)
Semi thesaurus term： grafted ,  *nanoimprint lithography ,  patterning ,  photoreaction ,  *wet etching ,  Benzophenones

JST classification (3)： Solid-liquid interface  (CB12050B) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Other properties of polymer solids  (CG02025L)

Substance index (1)： 4-(10-Mercaptodecyloxy)benzophenone

Terms in the title (6)： ナノインプリントリソグラフィー ,  高分子 ,  脱濡れ ,  光反応性 ,  化学吸着 ,  単分子層