Art

J-GLOBAL ID：200902213020082653   Reference number：06A0592868

Ultralow surface recombination of c-Si substrates passivated by plasma-assisted atomic layer deposited Al2O3

プラズマ支援原子層蒸着したAl₂O₃によって不動態化されたc-Si基板における非常に低い表面再結合

Author (5)： HOEX B. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  HEIL S. B. S. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  LANGEREIS E. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  VAN DE SANDEN M. C. M. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  KESSELS W. M. M. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 89  Issue： 4  Page： 042112-042112-3  Publication year： Jul. 24, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： plasma CVD ,...
Semi thesaurus term： 表面再結合速度

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Terms in the title (7)： プラズマ ,  支援 ,  原子層蒸着 ,  Al2O3 ,  不動態化 ,  Si基板 ,  表面再結合